年产300万套！这个IGBT项目投产在即

IGBT2023-12-19 15:52阅读 97

12月12日，浙江翠展微电子有限公司位于浙江嘉善县的翠展微三期项目封顶，成为翠展微发展的又一里程碑。

年产300万套IGBT 明年投产

据悉，该项目于今年6月份动土，计划工期6个月，2024年1月交付首期工厂，装修期3个月，设备调试期1个月，预计2024年5月首批约5条产线正式投产，全部 300万套IGBT模块产线预计在2024年年底投产。同时，新工厂将会投建1~2条SiC器件产线，预计2025年正式投产。

受下游应用市场需求增长，翠展微近年来发展迅速。2020年，翠展微落户嘉善，建设第一条年产能 20万套的产线；21年封测线投产，22年搬入二期项目，扩产至 100万套年产能；23年6月三期项目启动，剑指年产300万套IGBT模块产能。

此外，在资本市场，翠展微也获得了多方面的支持。2022年5月、9月、2023年1月，翠展微电子连续宣布完成Pre-A轮、A轮和A+轮融资，总额超2亿元。据悉，融资资金将全面投入产线建设，以确保翠展微具备2023年交付超 60万套汽车主驱IGBT模块的能力。

超100亿IGBT项目签约投产

随着下游新能源汽车等市场加速渗透，汽车功率半导体行业今年以来开始积极扩产。上半年，总投资超200亿的23个IGBT项目签约、投产。下半年，市场继续活跃，超100亿项目迎来签约、投产：

7月14日，黄山设立“芯动力半导体产业基金”，总投资 10亿的8英寸晶圆半导体IGBT封测和模组落地；
8月7日，芯动半导体首批750V/820A IGBT功率模块装机成功，首批产品顺利交付；8月14日，无锡芯动半导体制造基地首批封测设备顺利进厂，工厂进入量产阶段；
10月14日，无锡乂易车规级功率半导体制造项目签约徐州，总投资11亿元，年产平面栅NPTIGBT、SiCSBD、GaN、SiCMOS等共计 36万片；
10月7日，顺为科技IGBT/SiC功率半导体模块项目签约湖南株洲，项目总投资7.5亿元，建成达产 400万个IGBT模块及 100万个SiC模块；
10月16日，芯未半导体一期通线仪式举行，将形成约 6万片/年IGBT晶圆（折合8寸）、 120万只/年功率模块生产能力；
11月29日，晶能微招标项目信息披露，其总投资50亿元，年产 60万套SiC模块制造项目进入开建状态；
12月5日，广汽与中车合资的青蓝半导体举行IGBT投产仪式，项目总投资4.63亿元，两期项目达产后可实现IGBT模块产能达 80万只/年；
12月10日，浙江旺荣半导体8英寸功率器件项目正式竣工投产，项目总投资24亿元，年产 24万片8英寸晶圆，其中FRD芯片2.4万片/年、MOSFET芯片10.8万片/年、IGBT芯片10.8万片/年。